第2章
SiC MOSFET参数的解读、测试及应用

SiC MOSFET具有几十种参数来表征其特性，这些参数不仅是器件选型的参考，还可以帮助工程师更精细地完成变换器设计，如根据FOM值进行器件评估和对比、完成器件建模和仿真、进行器件损耗计算。

各厂商对SiC MOSFET参数的分类并不相同，在本章中将其主要参数按照最大值、静态特性和动态特性三大类进行划分。最大值是与SiC MOSFET极限工作点相关的参数，包含击穿电压、热阻抗、最大耗散功率、最大漏极电流和安全工作域。静态特性表征了SiC MOSFET工作点的电压和电流关系，包含传递特性、阈值电压、输出特性、导通电阻、二极管导通特性和第三象限导通特性。动态特性指SiC MOSFET的开关过程和体二极管反向恢复过程。由于结电容、栅电荷与开关过程关系密切，故将其归到动态特性部分进行讲解，与部分厂商的分类方法不同。需要注意的是，虽然划分为动态特性，但开关过程实际仍然受到静态参数的影响的，两者之间并不是完全独立的。

接下来在对SiC MOSFET各项参数进行介绍的过程中，所展示的数据来源于实测或数据手册，不作特别的区分说明。