3.2 玻璃基板上薄膜的边界条件

玻璃基板上薄膜的边界条件,是指没有薄膜或薄膜特性不满足规格值的玻璃基板边缘数值。它关系到设计图形的位置,或哪些图形可以位于薄膜边界条件内,哪些不能位于薄膜边界内。薄膜的边界条件,对阵列图形在玻璃基板上的排布有着重要的影响。
3.2.1 彩膜基板上的边界条件
彩膜玻璃基板上的各层薄膜,如黑矩阵BM、红色色阻、绿色色阻、蓝色色阻和柱状隔垫物,都是采用涂布工艺涂布在玻璃基板上的。在起始端和终止端附近,涂布薄膜的厚度和均匀性不能满足规格值的要求。从玻璃边到符合规格值的范围就是薄膜的边界条件(长度值)。对于前面提到的这些树脂材料薄膜,一般来说,从玻璃边往里5mm是无薄膜区,再往里5mm是薄膜的规格不达标区,即薄膜的边界条件值是10mm。对于VA和TN模式,彩膜玻璃基板上的ITO薄膜位于基板内侧,而对于IPS和FFS模式,ITO薄膜位于基板外侧。两者在厚度和电学特性的规格上不同,即薄膜的边界条件不同。与树脂材料的涂布工艺不同,ITO薄膜是用溅射工艺淀积而成的,即其薄膜的边界条件与溅射设备相关。一般而言,从玻璃边缘开始存在数毫米的无薄膜区,再往里存在数毫米的薄膜规格不符合区,两个距离相加就是ITO薄膜的边界条件。ITO薄膜的无膜区一般是5mm,特性不确保区是15mm,因此ITO薄膜的边界条件一般在20mm左右。
3.2.2 阵列基板上的边界条件
阵列玻璃基板上的各层薄膜,从其淀积的工艺上来说,可以分为两类:一类是用溅射工艺制备的诸如金属薄膜和ITO薄膜的导电薄膜,另外一类是用等离子体增强化学气相沉积工艺制备的诸如氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)、磷掺杂的氢化非晶硅薄膜(n + a-Si:H)和氮化硅薄膜(SiN x )的功能薄膜。导电薄膜的边界条件与彩膜玻璃基板上的ITO的基本一致。功能薄膜也有一个无薄膜区和薄膜特性不确保区,两者相加就是其边界条件。在边缘区域,有些用于阵列基板测试作用的布线或标记是用金属图形制作的,这些图形就位于氮化硅的边界条件内,但是此处的氮化硅的厚度要足够厚,确保后面的金属刻蚀工艺不会把这些图形刻蚀掉。这个可放置金属图形的最小间距在业内又被称为“CVD Margin”。通常,G8.5世代线“CVD Margin”一般在10mm左右,即大于10mm又小于边界条件的范围内可以设置一些测试用的金属图形。